03. Mär 2016

Seit dem Start der kommerziellen Fertigung hat Panasonic seine Photovoltaikmodule HIT(R) mit Silizium-Heterojunction kontinuierlich verbessert. ©Bild: Panasonic

Panasonic: PV-Modul erreicht Wirkungsgrad-Rekord von 23.8 Prozent

(PM) Die Panasonic Corporation gibt bekannt, dass sie für ihr Photovoltaikmodul einen Wirkungsgrad (1) von 23.8 Prozent (2) erzielt hat. Die Modulfläche ist die Aperturfläche (11.562 cm2). Dies ist eine deutliche Steigerung gegenüber dem bisherigen Rekord für kristalline siliziumbasierte Photovoltaikmodule, der für kristalline Module auf Silizium-Basis lag bei 22.8 Prozent (4) lag.


Im April 2014 hatte Panasonic bereits den Wirkungsgrad-Rekord von 25.6 Prozent (4) für seine Silizium-Heterojunction-Zellen bekanntgegeben. Damit hält Panasonic nun die Rekorde bei den Wirkungsgraden für kristalline siliziumbasierte Zellen und ebensolche Module.

Rücken-Kontakt-Solarzellstruktur
Panasonic hat eine Heterojunction-Struktur (5) entwickelt, die aus einem kristallinen Silizium-Substrat und amorphen Silizium-Schichten besteht. Seit dem Start der kommerziellen Fertigung hat Panasonic seine Photovoltaikmodule HIT(R) mit Silizium-Heterojunction kontinuierlich verbessert. Der neue Rekord wurde erzielt durch die Weiterentwicklung von Panasonics selbst entwickelter Heterojunction-Technologie für Hocheffizienz-Solarzellen und -Solarmodule, bei der eine Rücken-Kontakt-Solarzellstruktur zum Einsatz kommt. Auch künftig wird Panasonic die Technologie seiner Photovoltaikmodule HIT(R) weiterentwickeln. Neben einem höheren Wirkungsgrad sollen auch die Zuverlässigkeit weiter erhöht werden und die Kosten in der Massenfertigung gesenkt werden.

(1)Basierend auf Überprüfungen von Panasonic mit Stand 18. Februar 2016 für kristalline Silizium-Module
(2) Ergebnis der Bewertung des National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)
(3) The Modulfläche ist die Aperturfläche (11.562 cm2).
(4) SunPower (USA) November 2015. Bewertet in „Solar cell efficiency tables (version 47)" (Progr. Photovolt: Res. Appl. 2016; 24:3-11)
(5) Technologie notwendig für die Herstellung von P-N Übergängen mit der Anbringung von amorphem Silizium auf dem Wafer aus kristallinem Silizium. Hauptmerkmal ist die bessere Passivierung, um die Defekte an der Waferoberfläche zu kompensieren.

Text: Panasonic Corporation

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